GD650HFX170P1S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =650A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

I C =650A,V GE =15V, t j =125 O C

2.35

I C =650A,V GE =15V, t j =150 O C

2.45

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.3

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

72.3

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.75

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE =±15V,T j =25 O C

468

NS

t R

Aufstiegszeit

86

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

850

NS

t F

Herbstzeit

363

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

226

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

161

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE =±15V,T j = 125O C

480

NS

t R

Aufstiegszeit

110

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1031

NS

t F

Herbstzeit

600

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

338

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

226

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE =±15V,T j = 150O C

480

NS

t R

Aufstiegszeit

120

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1040

NS

t F

Herbstzeit

684

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

368

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

242

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =650A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

I F =650A,V GE =0V,T j = 125O C

1.98

I F =650A,V GE =0V,T j = 150O C

2.02

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

176

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

765

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

87.4

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

292

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

798

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

159

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

341

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

805

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

192

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von R 100

t C = 100 O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K