1700V 650A
Kurze EinführungFunktion
IGBT-Modul, hergestellt von STARPOWER. 1700V 650A
Merkmale
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte tC=25OC es sei denn sonstige Hinweis
IGBT
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1700 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
IC | Kollektorstrom @ TC=25OC @ TC= 100OC | 1073 650 | Ein |
ICM | Pulsierter Kollektorstrom tP=1ms | 1300 | Ein |
PD | Maximalleistung Ablösung @ Tj=175OC | 4.2 | kW |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vRRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1700 | v |
IF | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 650 | Ein |
IFM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tP=1ms | 1300 | Ein |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | OC |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | OC |
tstg | LagerungstemperaturReichweite | -40 bis +150 | OC |
vISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute | 4000 | v |
IGBT Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | IC=650A,VGE=15V, tj=25OC |
| 1.90 | 2.35 |
v |
IC=650A,VGE=15V, tj=125OC |
| 2.35 |
| |||
IC=650A,VGE=15V, tj=150OC |
| 2.45 |
| |||
vGE(th) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | IC=24.0mA,vCE=vGE, tj=25OC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
ICES | Sammler Schnitt-aus Aktuell | vCE=vCES,vGE=0V, tj=25OC |
|
| 5.0 | mA |
IGES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | vGE=vGES,vCE=0V,tj=25OC |
|
| 400 | NA |
rGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 2.3 |
| Ω |
Cies | Eingangskapazität | vCE=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 72.3 |
| NF |
Cres | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.75 |
| NF | |
Qg | Gate-Ladung | vGE=- 15…+15V |
| 5.66 |
| μC |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=900V,IC=650A, rGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj=25OC |
| 468 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 86 |
| NS | |
tD(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 850 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 363 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 226 |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 161 |
| mJ | |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=900V,IC=650A, rGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj= 125OC |
| 480 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 110 |
| NS | |
tD(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1031 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 600 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 338 |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 226 |
| mJ | |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=900V,IC=650A, rGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj= 150OC |
| 480 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 120 |
| NS | |
tD(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1040 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 684 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 368 |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 242 |
| mJ | |
ISC |
SC-Daten | tP≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150OC,VCC= 1000V,vCEM≤1700V |
|
2600 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
vF | Diodenvorwärts Spannung | IF=650A,VGE=0V,Tj=25OC |
| 1.85 | 2.30 |
v |
IF=650A,VGE=0V,Tj= 125OC |
| 1.98 |
| |||
IF=650A,VGE=0V,Tj= 150OC |
| 2.02 |
| |||
Qr | Wiederhergestellte Ladung | vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15Vtj=25OC |
| 176 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 765 |
| Ein | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 87.4 |
| mJ | |
Qr | Wiederhergestellte Ladung | vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15V tj= 125OC |
| 292 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 798 |
| Ein | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 159 |
| mJ | |
Qr | Wiederhergestellte Ladung | vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15V tj= 150OC |
| 341 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 805 |
| Ein | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 192 |
| mJ |
NTC Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
r25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Abweichung von r100 | tC= 100 OC, R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P25 | Leistung Abgabe |
|
|
| 20.0 | mW |
B25/50 | B-Wert | r2=R25exp[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B25/80 | B-Wert | r2=R25exp[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B25/100 | B-Wert | r2=R25exp[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
Modul Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
LCE | Streuinduktivität |
| 18 |
| nH |
rCC’+EE’ | ModulleiterwiderstandAnschluss zu Chip |
| 0.30 |
| mΩ |
rthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
rthCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro(g) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M4 TerminalverbindungDrehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
N.M |
g | Gewicht von Modul |
| 810 |
| g |
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