Y50KFE, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Schnelles Abschalten

Y50KFE, nicht symmetrischer, schnell abschaltender Thyristor

Y50KFE, nicht symmetrischer, schnell abschaltender Thyristor

Teil Nr. Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Brand:

TECHSEM

Spu:

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

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Einführung
Gliederung

Einführung

I T(AV)	1494Ein
v DRM	1200V~ 2000V
v RRM	1000V~ 1800V
t Q	15- Ich weiß. 55μs

Merkmale

Interdigitierte Verstärkungsgitter
Schnelles Einschalten und hohe di/dt
Niedrige Schaltverluste

Typische Anwendungen

Induktionsheizung
Elektronische Schweißer
Selbstkommutierte Wechselrichter

Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen			Tj(°C )	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen			Tj(°C )	Min	Typ	Max	Einheit
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180° Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,		TC=55℃	125			1494	Ein
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180° Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,		TC=70℃	125			1243	Ein
VDRM	Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung	tp=10ms			125	1200		2000	v
VRRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	tp=10ms			125	1000		1800	v
Ich bin hier	Wiederholender Spitzenstrom	bei VDRM bei VRRM			125			80	mA
ITSM	Überschuss-Einschaltstrom	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM			125			17	kA
1 t	I2t für Fusionskoordination	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM			125			1445	A2s* 103
VTO	Schwellenspannung				125			1.57	v
rT	Auflaufwiderstand				125			0.21	mΩ
VTM	Spitzeneinschaltspannung	ITM=3000A, F=24kN	15 μs≤tq≤28 μs		25			2.50	v
VTM	Spitzeneinschaltspannung	ITM=3000A, F=24kN	29 μs≤tq≤55 μs		25			2.10	v
dv/dt	Kritische Steigrate der Ausschaltspannung	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms	VDM= 67%VDRM bis 1600A, Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	Einziehungsgebühr	Die Leistung der elektrischen Antriebe ist in der Regel von 0,01 V bis 0,01 V.			125		750		μC
Tq	Schaltungskommutierte Abschaltzeit	ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs			125	15		55	μs
IGT	Gate-Auslöseström	VA= 12V, IA= 1A			25	40		300	mA
- Ich weiß.	Gate-Auslösespannung					0.9		3.0	v
IH	Haltestrom					20		500	mA
IL	Haltestrom							1000	mA
VGD	Nicht-auslösende Gate-Spannung	VDM=67%VDRM			125			0.3	v
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 24kN						0.020	。C /W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 24kN						0.005	。C /W
FM	Montagekraft					19		26	kN
Fernsehen	Junction-Temperatur					-40		125	℃
Tstg	Lagertemperatur					-40		140	℃
Wt	Gewicht						440		g
Gliederung	KT50cT