Hochfrequenzthyristor

I T(AV)

1260Ein

v DRM ,V RRM

1200V 1400V

Tq

12 bis 28 μs

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=55 。C

125

1260

Ein

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

1100

1400

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenwert des Ausschaltstroms Wiederholender Spitzenwert des Rückstroms

bei VDRM bei VRRM

125

80

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

1328

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.65

v

rT

Einschalt-Widerstand

0.36

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

25

3.20

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67% VDRM, bis 2000A

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

12

28

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

20

400

mA

IL

Haltestrom

500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.005

FM

Montagekraft

19

26

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。C

Wt

Gewicht

440

g

Gliederung

KT50cT