800A,600V bis 1800V,411F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodule, MTx800 MFx800 MT1,800Ein,Wasserkühlung，von TECHSEM produziert.
Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodule, MTx800 MFx800 MT800，800Ein,Wasserkühlung，von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM | Typ & Umriss | |
600V | MT2 Verbraucher | MFx800-06-411F3 |
800V | MT2 Verbraucher | MFx800-08-411F3 |
1000V | MT3 Verbraucher | MFx800-10-411F3 |
1200V | MT3 Verbraucher | MFx800-12-411F3 |
1400V | MT3Beibe | MFx800-14-411F3 |
1600V | MT3B1B2B3 | MFx800-16-411F3 |
1800V | MT3 Verbraucher | MFx800-18-411F3 |
1800V | MT1 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - |
|
MTx steht für jede Art vonMTC, MTA, MTK
MFx steht für jede Art vonMFC, Außenminister, MFK
Merkmale
Typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj(℃) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | Max | |||||
IT(AV) | Mittlerer Einschaltstrom | 180°halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, THS=55℃ |
125 |
|
| 800 | Ein |
IT(RMS) | RMS Durchlassstrom |
|
| 1256 | Ein | ||
Ich bin hier | Wiederholender Spitzenstrom | bei VDRM bei VRRM | 125 |
|
| 45 | mA |
ITSM | Überschuss-Einschaltstrom | VR=60%VRRM, t= 10 ms halbes Sinus | 125 |
|
| 22.0 | kA |
1 t | I2t für Fusionskoordination | 125 |
|
| 2420 | 103Ein2s | |
VTO | Schwellenspannung |
|
125 |
|
| 0.90 | v |
rT | Einschaltsteigungswiderstand |
|
| 0.35 | mΩ | ||
VTM | Spitzeneinschaltspannung | Die in Absatz 1 genannten Angaben werden nicht geändert. | 25 |
|
| 1.95 | v |
dv/dt | Kritische Steigrate der Ausschaltspannung | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms | Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
- Ich weiß. | Gate-Auslösespannung | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Haltestrom | 10 |
| 200 | mA | ||
IL | Haltestrom |
|
| 1000 | mA | ||
VGD | Nicht-auslösende Gate-Spannung | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.050 | ℃/W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.024 | ℃/W |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
FM | Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Gewicht |
|
|
| 3230 |
| g |
Gliederung | 411F3 | ||||||
Unser professionelles Verkaufsteam freut sich auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.
EN
