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Schnelle Abschalt-Thyristor-Module

Schnelle Abschalt-Thyristor-Module

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MK(H)x400 MK400, schnelle Abschalt-Thyristormodule, Wasser Kühlung

400A,800V bis 1800V,406F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MK(H)x400 MK400
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

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  • Gliederung
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Einführung

Kurze Einführung

Schnelle Abschalt-Thyristor-Module ,MK(H)x400 MK400 ,4 00A - Wasser. kühlung, produziert von TECHSEM .

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

800V

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von

Die Kommission wird die Kommission übermitteln.

1000V

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu finden.

1200V

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von

MHx400-12-406F3

1400V

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von

MHx400-14-406F3

1600V

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von

MHx400-16-406F3

1800V

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von

Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu finden.

1800V

MK400-18-406F3G

MKx steht für jeden Typ von MKC, MKA, MKK

MHx steht für jeden Typ von MHC, MHA, MHK

Merkmale

  • Isolierte Montagebasis 2500V~
  • Druckkontakttechnologie mit Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

  • Wechselrichter
  • Induktionsheizung
  • Chopper

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° Halbsinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=55°C

125

400

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

628

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

80

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM

125

7.8

kA

I 2t

I2t für Fusionskoordination

310

103Ein 2s

VTO

Schwellenspannung

125

1.22

v

r t

Einschaltsteigungswiderstand

0.80

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1200A

25

2.40

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

10

200

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM= 67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.087

°C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.040

°C /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

2500

v

FM

Anschlussdrehmoment (M10)

10.0

12.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

°C

Wt

Gewicht

1580

g

Gliederung

406F3

Gliederung

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