Schweiß-Thyristor/Gleichrichter-Modul

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MFC26-08-224H3

MFC26-10-224H3

MFC26-12-224H3

MFC26-14-224H3

MFC26-16-224H3

MFC26-18-224H3

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=85 ℃

125

26

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

41

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

15

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM,,t= 10ms halbe Sinuswelle,

125

1.6

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

12.8

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

0.75

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

7.68

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=80A

25

1.55

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.6

2.5

v

IH

Haltestrom

10

250

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus. Einseitig gekühlt pro Chip

0.900

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Bei 1800 Sinus. Einseitig gekühlt pro Chip

0.150

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

v

FM

Anschlussdrehmoment (M5)

2.5

4.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

100

g

Gliederung

224H3