1700V 3600A
Kurze Einführung
IGBT-Modul ,Hochspannung, von Stärken . 1700V 3600A.
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolute maximale Bewertungen t C =25 ℃ es sei denn, anders angegeben
Symbol | Beschreibung | v Wert | Einheiten |
VCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1700 | v |
VGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
IC | Kollektorstrom @ TC=25℃ Kollektorstrom @ TC=80℃ | 5200 | Ein |
3600 | |||
ICM(1) | Pulsierende Kollektorstrom tp= 1ms | 7200 | Ein |
IF | Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom | 3600 | Ein |
IFM | Dioden maximaler Vorwärtsstrom @ TC=80°C | 7200 | Ein |
PD | Maximale Verlustleistung @ Tj=175℃ | 20 | kW |
Tj | Maximale Junction-Temperatur | 175 | ℃ |
Tstg | Lagerungstemperaturbereich | -40 bis +125 | ℃ |
VISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | v |
Montage | Signalterminal-Schraube:M4 | 1.8 bis 2.1 |
|
Leistungsanschluss-Schraube:M8 | 8.0 bis 10 | N.M | |
Drehmoment | Montageschraube:M6 | 4.25 bis 5.75 |
|
Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn, es ist anders angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten | ||||||||||
V(BR)CES | Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung | Tj=25℃ | 1700 |
|
| v | ||||||||||
ICES | Sammler-Abschlusstrom | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃ |
|
| 5.0 | mA | ||||||||||
IGES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃ |
|
| 400 | NA | ||||||||||
VGE(th) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v | ||||||||||
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃ |
| 2.00 | 2.45 |
v | ||||||||||
IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃ |
| 2.40 | 2.85 | |||||||||||||
QG | Gate-Ladung | VGE=-15…+15V |
| 42.0 |
| μC | ||||||||||
RGint | Interner Gate-Widerstand | Tj=25℃ |
| 0.4 |
| Ω | ||||||||||
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj=25℃ |
| 730 |
| NS | ||||||||||
Tr | Aufstiegszeit |
| 205 |
| NS | |||||||||||
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 1510 |
| NS | |||||||||||
TF | Herbstzeit |
| 185 |
| NS | |||||||||||
EON | Einschalt-Schaltverluste |
| 498 |
| mJ | |||||||||||
EOFF | Ausschalt-Schaltverluste |
| 1055 |
| mJ | |||||||||||
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj=125℃ |
| 785 |
| NS | ||||||||||
Tr | Aufstiegszeit |
| 225 |
| NS | |||||||||||
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 1800 |
| NS | |||||||||||
TF | Herbstzeit |
| 325 |
| NS | |||||||||||
EON | Einschalt-Schaltverluste |
| 746 |
| mJ | |||||||||||
EOFF | Ausschalt-Schaltverluste |
| 1451 |
| mJ | |||||||||||
Cies | Eingangskapazität |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
| 317 |
| NF | ||||||||||
Coes | Ausgangskapazität |
| 13.2 |
| NF | |||||||||||
Cres | Rückübertragungs- Kapazität |
| 10.5 |
| NF | |||||||||||
ISC |
SC-Daten | tSC≤10μs,VGE=15V, Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V |
|
14000 |
|
Ein | ||||||||||
LCE | Streuinduktivität |
|
| 10 |
| nH | ||||||||||
RCC’+EE’ | Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
|
| 0.12 |
| mΩ | ||||||||||
Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten | |
v F | Diodenvorwärts Spannung | I F =3600A | t j =25 ℃ |
| 1.80 | 2.20 | v |
t j =125 ℃ |
| 1.90 | 2.30 | ||||
Q r | Wiederhergestellte Ladung |
I F =3600A, v r =900V, r Gon =0.4Ω, v GE =-15V | t j =25 ℃ |
| 836 |
| μC |
t j =125 ℃ |
| 1451 |
| ||||
I RM | Rückwärtswiederherstellung Aktuell | t j =25 ℃ |
| 2800 |
| Ein | |
t j =125 ℃ |
| 3300 |
| ||||
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie | t j =25 ℃ |
| 590 |
| mJ | |
t j =125 ℃ |
| 1051 |
| ||||
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