IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

IC

Kollektorstrom @ TC=25oC

Kollektorstrom @ TC=65oC

4446

3600

Ein

ICM

Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms

7200

Ein

PD

Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oC

15.3

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

IF

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

Ein

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tp=1ms

7200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

Tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

^O C

- Ich bin ein Idiot.

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

^O C

Tstg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

^O C

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

VCE (Sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE(th)

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v

ICES

Abschnittswert für den Sammler

Aktuell

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter Leckstrom

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

NA

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.53

Ω

Cies

Eingangskapazität

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

240

NF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

8.64

NF

QG

Gate-Ladung

VGE=+15…+15V

21.6

μC

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel

660

NS

Tr

Aufstiegszeit

280

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1600

NS

TF

Herbstzeit

175

NS

EON

Einschaltsteuerung

Verlust

650

mJ

EOFF

Ausschaltsteuerung

Verlust

1100

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel

740

NS

Tr

Aufstiegszeit

290

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1800

NS

TF

Herbstzeit

315

NS

EON

Einschaltsteuerung

Verlust

800

mJ

EOFF

Ausschaltsteuerung

Verlust

1500

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

780

NS

Tr

Aufstiegszeit

295

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1850

NS

TF

Herbstzeit

395

NS

EON

Einschaltsteuerung

Verlust

900

mJ

EOFF

Ausschaltsteuerung

Verlust

1600

mJ

ISC

SC-Daten

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

kA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

VF

Diodenvorwärts

Spannung

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

v

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

Wiederhergestellte Ladung

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

2600

Ein

Erek

Rückwärtsrekuperationsenergie

490

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

3150

Ein

Erek

Rückwärtsrekuperationsenergie

950

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

3300

Ein

Erek

Rückwärtsrekuperationsenergie

1100

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

6.0

nH

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.12

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Verfahren.

Gehäuse-Heatsink (pro Diode)

Hülle-Heatsink (pro Modul)

6.5

10.7

4.0

K/kW

m

Anzugsmoment der Anschlussklemmen, Schraube M4 Anzugsmoment der Anschlussklemmen, Schraube M8 Anzugsmoment der Montage, Schraube M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Gewicht des Moduls

2300

g