IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =150 O C

7.40

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

900

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

v

I C =800A,V GE =15V, t j =125 O C

3.60

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

6.1

7.0

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

53.1

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

3.40

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

8.56

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =800A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

90

NS

t r

Aufstiegszeit

81

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

t F

Herbstzeit

55

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

36.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

41.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =800A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

115

NS

t r

Aufstiegszeit

92

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

t F

Herbstzeit

66

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

52.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

59.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

5200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

v

I F =800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

56

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

550

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

148

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

920

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

91.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

12

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.19

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

16.9

26.2

K/kW

r θ CS

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

19.7

30.6

K/kW

r θ CS

Gehäuse zu Sink

6.0

K/kW

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Gewicht von Modul

1500

g