IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD600SGL120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

950

Ein

600

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

600

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 175℃

3750

W

t SC

Kurzschluss mit Und Zeit

10

μs

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

I 2t-Wert, Diode

v r =0V,t=10ms,T j =125 ℃

74000

Ein 2s

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage-Torque

Signalanschluss Schraube:M4

1.1 bis 2.0

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

N.M

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

Gewicht

Gewicht von Modul

300

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =24 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 ℃

1.9

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j = 125℃

2.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =3Ω,

v GE = ± 15 V, t j =25 ℃

200

NS

t r

Aufstiegszeit

62

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

510

NS

t F

Herbstzeit

v CC =600V,I C = 600A, r g =3Ω,

v GE = ± 15 V, t j =25 ℃

60

NS

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

39

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A,

r g =3Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

210

NS

t r

Aufstiegszeit

65

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

600

NS

t F

Herbstzeit

75

NS

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

45

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

60

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V, f=1MHz,

v GE =0V

41.0

NF

C - Die

Ausgangskapazität

3.1

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

2.0

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,

v CC =900V, v CEM ≤ 1200V

2600

Ein

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =600A

t j =25 ℃

1.8

2.4

v

t j = 125℃

1.9

2.5

Q r

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

I F = 600A,

v r =600V,

di/dt=-6000A/μs, v GE =- 15V

t j =25 ℃

65

μC

t j = 125℃

100

I RM

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

450

Ein

t j = 125℃

510

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

35

mJ

t j = 125℃

42

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, p er Modul)

0.04

℃ /W

r θ JC

Junction-to-Case (Diode-Teil, pro Modul le)

0.09

℃ /W

r θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

℃ /W