IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

1009

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =150 O C

4032

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C

2.15

2.60

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C

2.65

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

4.5

5.5

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

40.8

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

2.64

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

6.35

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =3.3Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

673

NS

t r

Aufstiegszeit

207

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

995

NS

t F

Herbstzeit

154

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

23.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

88.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =3.3Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

678

NS

t r

Aufstiegszeit

211

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1047

NS

t F

Herbstzeit

164

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

29.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

95.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

3600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

I F = 600 A, V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

55.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

288

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

98.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

375

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

48.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.031

0.070

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g