IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F = 85 O C

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t j =175 O C

970

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung GE

1200

v

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150

+150 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

D Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

D klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F = 85 O C

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t j =175 O C

970

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung GE

1200

v

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150

+150 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

D Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

D klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.40

v

I C = 450 A, V GE =15V, t j =150 O C

1.65

I C = 450 A, V GE =15V, t j =175 O C

1.70

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.60

I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C

1.90

I C = 600 A, V GE =15V, t j =175 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 15,6 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

6.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.67

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=100kHz, v GE =0V

81.2

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.56

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.53

NF

Q g

Gate-Ladung

v CE =600V,I C =600A, V GE =-8...+15V

5.34

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s =22nH,

v GE =-8V/+15V, t j =25 O C

290

NS

t r

Aufstiegszeit

81

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

895

NS

t F

Herbstzeit

87

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

53.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

47.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s =22nH,

v GE =-8V/+15V, t j =150 O C

322

NS

t r

Aufstiegszeit

103

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1017

NS

t F

Herbstzeit

171

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

84.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

63.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s =22nH,

v GE =-8V/+15V, t j =175 O C

334

NS

t r

Aufstiegszeit

104

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1048

NS

t F

Herbstzeit

187

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

89.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

65.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, v GE =15V,

t j =175 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V

2000

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.80

v

I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 50O C

1.75

I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 75O C

1.70

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.95

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 75O C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,t j =25 O C

22.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

304

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,t j =150 O C

46.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

336

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,t j =175 O C

49.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

346

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

64

Mbar

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

2.5

Stange

r Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

0.103 0.140

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Gewicht von Modul

750

g