IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1090

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

3947

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C

1.90

I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C

1.95

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.2

5.8

6.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

62.1

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.74

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

4.62

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =1.5Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

136

NS

t r

Aufstiegszeit

77

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

494

NS

t F

Herbstzeit

72

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

53.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =1.5Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

179

NS

t r

Aufstiegszeit

77

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

628

NS

t F

Herbstzeit

113

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

70.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

74.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =1.5Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

179

NS

t r

Aufstiegszeit

85

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

670

NS

t F

Herbstzeit

124

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

76.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

81.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

v

I F = 600 A, V GE =0V,T j =125 O C

2.05

I F = 600 A, V GE =0V,T j =150 O C

2.10

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C

58.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

276

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.9

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, t j =125 O C

109

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

41.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, t j =150 O C

124

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

428

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

48.5

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von r 100

t C = 100 O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.038

0.066

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g