1200V 600A
Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 600A.
Merkmale
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
v CES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
v GES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
I C | Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C | 1000 600 | Ein |
I CM | Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms | 1200 | Ein |
P D | Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C | 3409 | W |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
v RRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1200 | v |
I F | Diode kontinuierlich vorwärts rent | 600 | Ein |
I FM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms | 1200 | Ein |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
t jmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | O C |
t - Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | O C |
t stg | Lagerungstemperatur Reichweite | -40 bis +125 | O C |
v ISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min | 4000 | v |
IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
v CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C |
| 1.70 | 2.05 |
v |
I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C |
| 1.95 |
| |||
I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C |
| 2.00 |
| |||
v GE (th ) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | I C = 15,0mA,V CE =V GE , T j =25 O C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | v |
I CES | Sammler Schnitt -aus Aktuell | v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C |
|
| 1.0 | mA |
I GES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Interner Gate-Widerst and |
|
| 1.3 |
| Ω |
C ies | Eingangskapazität | v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V |
| 62.1 |
| NF |
C res | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.74 |
| NF | |
Q g | Gate-Ladung | v GE =- 15…+15V |
| 4.62 |
| μC |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 600A, r g = 1,5Ω, v GE =±15V, t j =25 O C |
| 257 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 96 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 628 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 103 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 37.5 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 51.5 |
| mJ | |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 600A, r g = 1,5Ω, v GE =±15V, t j =125 O C |
| 268 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 107 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 659 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 144 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 53.5 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 77.3 |
| mJ | |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 600A, r g = 1,5Ω, v GE =±15V, t j =150 O C |
| 278 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 118 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 680 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 155 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 58.9 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 82.4 |
| mJ | |
I SC |
SC-Daten | t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V |
|
2400 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
v F | Diodenvorwärts Spannung | I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C |
| 1.65 | 2.10 |
v |
I F = 600 A, V GE =0V,T j = 125O C |
| 1.65 |
| |||
I F = 600 A, V GE =0V,T j = 150O C |
| 1.65 |
| |||
Q r | Wiederhergestellte Ladung | v CC =600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C |
| 61.4 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 280 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 20.9 |
| mJ | |
Q r | Wiederhergestellte Ladung | v CC =600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, t j = 125O C |
| 114 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 415 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 43.1 |
| mJ | |
Q r | Wiederhergestellte Ladung | v CC =600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, t j = 150O C |
| 128 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 443 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 50.0 |
| mJ |
Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
L CE | Streuinduktivität |
|
| 20 | nH |
r CC’+EE’ | Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip |
| 0.35 |
| mΩ |
r thJC | Junction-to-Case (pro IGB T) Junction-to-Case (pro Di ode) |
|
| 0.044 0.077 | K/W |
r thCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul) |
| 0.031 0.055 0.010 |
| K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | Gewicht von Modul |
| 300 |
| g |
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