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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

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GD600HFX120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Stärken
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 600A.

Merkmale

  • Niedriges V CE (sitz ) Graben IGBT Technologie
  • 10 μs Kurzschlusskapazität Schwangerschaft
  • v CE (sitz ) Mit positiv Temperatur Koeffizient
  • Maximum Junction-Temperatur 175O C
  • Niedrige Induktivität Fallstudie
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsregeneration FWD gegen Parallel
  • Isolierte Kupfer-Basisplatte uns Die HPS-DBC-Technologie

Typisch Anwendungen

  • Wechselrichter mit einem Strangverlauf von nicht mehr als 15 mm
  • Wechselstrom und Gleichstrom Servo Antrieb Verstärker
  • Ununterbrochene Leistung er Versorgung

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

Übergangsspannung des Tor-Emittors

±20

± 30

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

873

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

2727

W

Diode

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

v

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Modul

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

v

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.75

2.20

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C

2.00

I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C

2.05

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

55.9

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.57

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

4.20

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1,5Ω

Ich bin nicht hier. s = 34nH, V GE =±15V,T j =25 O C

109

NS

t r

Aufstiegszeit

62

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

469

NS

t F

Herbstzeit

68

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

42.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

46.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1,5Ω,

L s = 34 nH ,

v GE =±15V,T j =125 O C

143

NS

t r

Aufstiegszeit

62

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

597

NS

t F

Herbstzeit

107

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

56.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

70.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1,5Ω,

L s = 34 nH ,

v GE =±15V,T j =150 O C

143

NS

t r

Aufstiegszeit

68

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

637

NS

t F

Herbstzeit

118

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

61.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

77.8

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

v

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 25O C

2.05

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 50O C

2.10

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, L s = 34 nH ,t j =25 O C

58.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

276

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.9

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, L s = 34 nH ,t j =125 O C

109

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

41.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, L s = 34 nH ,t j =150 O C

124

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

428

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

48.5

mJ

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.055

0.089

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.032

0.052

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g

Gliederung

image(c3756b8d25).png

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