IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

925

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

3000

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.65

2.00

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=100kHz, v GE =0V

60.8

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.84

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

4.64

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =1.2Ω,L s =20nH, V GE =±15V,T j =25 O C

308

NS

t r

Aufstiegszeit

42

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

431

NS

t F

Herbstzeit

268

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

15.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =1.2Ω, L s =20 nH ,

v GE =±15V,T j =125 O C

311

NS

t r

Aufstiegszeit

49

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

467

NS

t F

Herbstzeit

351

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

31.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

69.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g =1.2Ω, L s =20 nH ,

v GE =±15V,T j =150 O C

313

NS

t r

Aufstiegszeit

51

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

475

NS

t F

Herbstzeit

365

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

34.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

71.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

v

I F = 600 A, V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F = 600 A, V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C

38.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

524

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.9

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11220A/μs,V g e =- 15 V, t j = 125O C

82.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

565

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

54.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11040A/μs,V g e =- 15 V, t j = 150O C

94.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

589

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

55.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.050

0.080

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g