1200V 450A
Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 450A.
Merkmale
Typisch Anwendungen
IGBT-Wechselrichter t C =25 ℃ es sei denn, es ist anders angegeben
Maximale Nennwerte
Symbol | Beschreibung | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | Einheiten |
v CES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25 ℃ | 1200 | v |
v GES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
I C | Kollektorstrom @ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃ | 650 450 | Ein |
I CM | Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms | 900 | Ein |
P tot | Gesamte Leistungsdissipation @ T j =175 ℃ | 2155 | W |
t SC | Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =150 ℃ | 10 | μs |
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v (BR)CES | Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung | t j =25 ℃ | 1200 |
|
| v |
I CES | Sammler Schnitt -aus Aktuell | v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
I GES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v EG (Jahr) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | I C = 18,0 mA, V CE =V GE , t j =25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
v CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | I C = 450 A, V GE =15V, t j =25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
v |
I C = 450 A, V GE =15V, t j =125 ℃ |
| 1.90 |
|
Schaltcharakteristik en
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
v CC =600V,I C =450A, R g =1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃ |
| 23.0 |
| mJ |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 31.0 |
| mJ | |
e tot | Gesamt Schaltverlust |
| 54.0 |
| mJ | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
v CC =600V,I C =450A, R g =1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j =125 ℃ |
| 36.0 |
| mJ |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 48.0 |
| mJ | |
e tot | Gesamt Schaltverlust |
| 84.0 |
| mJ |
t (Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung | v CC =600V,I C = 450 A, r g =1,6Ω, v GE = ± 15 V, t j =25 ℃ |
| 160 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 90 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 500 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 130 |
| NS | |
t (Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung | v CC =600V,I C = 450 A, r g =1,6Ω, v GE = ± 15 V, t j =125 ℃ |
| 170 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 100 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 570 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 160 |
| NS | |
C ies | Eingangskapazität |
v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V |
| 32.3 |
| NF |
C - Die | Ausgangskapazität |
| 1.69 |
| NF | |
C res | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.46 |
| NF | |
I SC |
SC-Daten | t s C ≤ 10μs,V GE ≤ 15 V, t j =125 ℃ , v CC =900V, v CEM ≤ 1200V |
|
1800 |
|
Ein |
r Gint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 1.7 |
| Oh |
Q g | Gate-Ladung | v GE =-15…+15V |
| 4.3 |
| μC |
Diodenumrichter t C =25 ℃ außer anderen Weise bemerkt
Maximale Nennwerte
Symbol | Beschreibung | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | Einheiten |
v RRM | Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25 ℃ | 1200 | v |
I F | Gleichstrom-Vorwärtsstrom @ t C =80 ℃ | 450 | Ein |
I FRM | Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P = 1 ms | 900 | Ein |
I 2t | I 2t-Wert,V r =0V, t P =10 ms, T j = 125℃ | 35000 | Ein 2s |
Charakteristikwerte
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten | |
v F | Diodenvorwärts Spannung | I F = 450 A, V GE =0V | t j =25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 | v |
t j =125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r | Wiederhergestellte Ladung |
I F = 450 A, v r =600V, mit einer Breite von mehr als 20 mm, v GE =-15V | t j =25 ℃ |
| 45.1 |
| NS |
t j =125 ℃ |
| 84.6 |
| ||||
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | t j =25 ℃ |
| 316 |
| Ein | |
t j =125 ℃ |
| 404 |
| ||||
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie | t j =25 ℃ |
| 21.1 |
| mJ | |
t j =125 ℃ |
| 38.9 |
| ||||
Elektrische Eigenschaften von NTC t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
r 25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Abweichung von r 100 | t C =100 ℃ ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Leistungsverlust |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B-Wert | r 2=R 25Ex [B] 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))] |
| 3375 |
| K |
IGBT-Modul
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v ISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min |
| 2500 |
| v |
L CE | Streuinduktivität |
| 20 |
| nH |
r CC ’+ EE ’ | Modulanschlusswiderstand C.E., Terminal an Chip. @ T C =25 ℃ |
| 1.1 |
| m Ω |
r θJC | Junction -Um -Fallstudie (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
| 0.058 0.102 | K/W |
r θCS | Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied) |
| 0.005 |
| K/W |
t j | Maximale Junction-Temperatur |
|
| 150 | ℃ |
t stg | Lagerungstemperaturbereich | -40 |
| 125 | ℃ |
Montage Drehmoment | Leistungsanschluss Schraube: M5 | 3.0 |
| 6.0 | N.M |
Montage Schraube:M6 | 3.0 |
| 6.0 | N.M | |
Gewicht | Gewicht von Modul |
| 910 |
| g |
DE
