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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

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GD450HTT120C7S, IGBT Modul, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
Stärken
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 450A.

Merkmale

  • Niedrig v CE(sat) Schützengraben IGBT-Technolo GY
  • Niedrig Wechselverluste
  • 10 μs Kurzschlussfähigkeit
  • Quadratische RBSOA
  • v CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Niedrige Induktivität Fallstudie
  • Schnelle & weiche Rückwärtsrekovery antiparallele FWD
  • Isoliertes Kupfer ba Seplate mit DBC-Technologie

Typisch Anwendungen

  • Inverter für Motoren Antrieb
  • Wechselstrom und Gleichstrom Servo Antrieb Verstärker
  • Ununterbrochene Stromversorgung

IGBT-Wechselrichter t C =25 es sei denn, es ist anders angegeben

Maximale Nennwerte

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25

@ T C =80

650

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

900

Ein

P tot

Gesamte Leistungsdissipation @ T j =175

2155

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =150

10

μs

Ausschaltmerkmale

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR)CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25

400

NA

Einschaltmerkmale

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C = 18,0 mA, V CE =V GE , t j =25

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t j =25

1.70

2.15

v

I C = 450 A, V GE =15V, t j =125

1.90

Schaltcharakteristik en

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

v CC =600V,I C =450A, R g =1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j =25

23.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

31.0

mJ

e tot

Gesamt Schaltverlust

54.0

mJ

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

v CC =600V,I C =450A, R g =1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j =125

36.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.0

mJ

e tot

Gesamt Schaltverlust

84.0

mJ

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g =1,6Ω,

v GE = ± 15 V, t j =25

160

NS

t r

Aufstiegszeit

90

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

t F

Herbstzeit

130

NS

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g =1,6Ω,

v GE = ± 15 V, t j =125

170

NS

t r

Aufstiegszeit

100

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

570

NS

t F

Herbstzeit

160

NS

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

32.3

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.69

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.46

NF

I SC

SC-Daten

t s C 10μs,V GE 15 V, t j =125 ,

v CC =900V, v CEM 1200V

1800

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.7

Oh

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

4.3

μC

Diodenumrichter t C =25 außer anderen Weise bemerkt

Maximale Nennwerte

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v RRM

Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25

1200

v

I F

Gleichstrom-Vorwärtsstrom @ t C =80

450

Ein

I FRM

Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P = 1 ms

900

Ein

I 2t

I 2t-Wert,V r =0V, t P =10 ms, T j = 125

35000

Ein 2s

Charakteristikwerte

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A, V GE =0V

t j =25

1.65

2.15

v

t j =125

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F = 450 A,

v r =600V,

mit einer Breite von mehr als 20 mm, v GE =-15V

t j =25

45.1

NS

t j =125

84.6

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25

316

Ein

t j =125

404

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25

21.1

mJ

t j =125

38.9

Elektrische Eigenschaften von NTC t C =25 es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r 25

Nennwiderstand

5.0

ΔR/R

Abweichung von r 100

t C =100 ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25Ex [B] 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

K

IGBT-Modul

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE

Modulanschlusswiderstand C.E., Terminal an Chip. @ T C =25

1.1

m Ω

r θJC

Junction -Um -Fallstudie (proIGBT )

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.058

0.102

K/W

r θCS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.005

K/W

t j

Maximale Junction-Temperatur

150

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40

125

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube: M5

3.0

6.0

N.M

Montage Schraube:M6

3.0

6.0

N.M

Gewicht

Gewicht von Modul

910

g

Gliederung

image(6778dd5b7b).png

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