Alle Kategorien

IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

Startseite /  Produkte  /  IGBT-Modul /  IGBT-Modul 1200V

GD450HTT120C7S, IGBT Modul, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
Stärken
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 450A.

Merkmale

  • Niedrig v CE(sat) Schützengraben IGBT-Technolo GY
  • Niedrig Wechselverluste
  • 10 μs Kurzschlussfähigkeit
  • Quadratische RBSOA
  • v CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Niedrige Induktivität Fallstudie
  • Schnelle & weiche Rückwärtsrekovery antiparallele FWD
  • Isoliertes Kupfer ba Seplate mit DBC-Technologie

Typisch Anwendungen

  • Inverter für Motoren Antrieb
  • Wechselstrom und Gleichstrom Servo Antrieb Verstärker
  • Ununterbrochene Stromversorgung

IGBT-Wechselrichter t C =25 es sei denn, es ist anders angegeben

Maximale Nennwerte

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25

@ T C =80

650

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

900

Ein

P tot

Gesamte Leistungsdissipation @ T j =175

2155

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =150

10

μs

Ausschaltmerkmale

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR)CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25

400

NA

Einschaltmerkmale

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C = 18,0 mA, V CE =V GE , t j =25

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t j =25

1.70

2.15

v

I C = 450 A, V GE =15V, t j =125

1.90

Schaltcharakteristik en

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

v CC =600V,I C =450A, R g =1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j =25

23.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

31.0

mJ

e tot

Gesamt Schaltverlust

54.0

mJ

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

v CC =600V,I C =450A, R g =1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j =125

36.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.0

mJ

e tot

Gesamt Schaltverlust

84.0

mJ

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g =1,6Ω,

v GE = ± 15 V, t j =25

160

NS

t r

Aufstiegszeit

90

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

t F

Herbstzeit

130

NS

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g =1,6Ω,

v GE = ± 15 V, t j =125

170

NS

t r

Aufstiegszeit

100

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

570

NS

t F

Herbstzeit

160

NS

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

32.3

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.69

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.46

NF

I SC

SC-Daten

t s C 10μs,V GE 15 V, t j =125 ,

v CC =900V, v CEM 1200V

1800

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.7

Oh

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

4.3

μC

Diodenumrichter t C =25 außer anderen Weise bemerkt

Maximale Nennwerte

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v RRM

Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25

1200

v

I F

Gleichstrom-Vorwärtsstrom @ t C =80

450

Ein

I FRM

Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P = 1 ms

900

Ein

I 2t

I 2t-Wert,V r =0V, t P =10 ms, T j = 125

35000

Ein 2s

Charakteristikwerte

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A, V GE =0V

t j =25

1.65

2.15

v

t j =125

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F = 450 A,

v r =600V,

mit einer Breite von mehr als 20 mm, v GE =-15V

t j =25

45.1

NS

t j =125

84.6

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25

316

Ein

t j =125

404

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25

21.1

mJ

t j =125

38.9

Elektrische Eigenschaften von NTC t C =25 es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r 25

Nennwiderstand

5.0

ΔR/R

Abweichung von r 100

t C =100 ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25Ex [B] 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

K

IGBT-Modul

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE

Modulanschlusswiderstand C.E., Terminal an Chip. @ T C =25

1.1

m Ω

r θJC

Junction -Um -Fallstudie (proIGBT )

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.058

0.102

K/W

r θCS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.005

K/W

t j

Maximale Junction-Temperatur

150

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40

125

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube: M5

3.0

6.0

N.M

Montage Schraube:M6

3.0

6.0

N.M

Gewicht

Gewicht von Modul

910

g

Gliederung

image(6778dd5b7b).png

Kostenlose Angebotsanfrage

Unser Vertreter wird sich bald bei Ihnen melden.
Email
Name
Firmenname
Nachricht
0/1000

VERWANDTES PRODUKT

Haben Sie Fragen zu Produkten?

Unser professionelles Verkaufsteam freut sich auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.

Angebot anfordern

Kostenlose Angebotsanfrage

Unser Vertreter wird sich bald bei Ihnen melden.
Email
Name
Firmenname
Nachricht
0/1000