IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Kollektor-Emitter-Spannung @ T j =25 ℃

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

900

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

900

Ein

P tot

Gesamtleistungsverlust @ T j = 175℃

3191

W

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C = 18,0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

v

I C = 450 A, V GE =15V, t j = 125℃

2.20

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

4.6

μC

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 2,3Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

48

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

28

mJ

e tot

Gesamt Schaltverlust

76

mJ

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 2,3Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

66

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

45

mJ

e tot

Gesamt Schaltverlust

111

mJ

D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 2,3Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

205

NS

t r

Aufstiegszeit

70

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

465

NS

t F

Herbstzeit

50

NS

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 2,3Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

225

NS

t r

Aufstiegszeit

70

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

520

NS

t F

Herbstzeit

75

NS

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

31.8

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.13

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.41

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE ≤ 15 V, t j = 125℃ ,V CC =600V, v CEM ≤ 1200V

2250

Ein

r Gint

Interne Gate-Widerstands tance

0.7

Ω

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v RRM

Kollektor-Emitter-Spannung @ T j =25 ℃

1200

v

I F

DC Vorwärtsstrom @ T C =80 ℃

450

Ein

I FRM

Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P =1ms

900

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A, v GE =0V

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j = 125℃

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r = 600 V,

I F = 450 A,

r g =2.3Ω,

v GE =- 15V

t j =25 ℃

58

μC

t j = 125℃

99

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

372

Ein

t j = 125℃

492

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

22

mJ

t j = 125℃

45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von r 100

t C = 100℃ ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25Ex [B] 25/50 (1/T 2- 1/(298.1 5K))]

3375

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand,Terminal zu Chip @ T C =25 ℃

1.1

m Ω

r θ JC

Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.047

0.078

K/W

r θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.005

K/W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40

125

℃

Montage

Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M5

3.0

6.0

N.M

Montage Schraube:M6

3.0

6.0

N.M

Gewicht

Gewicht von Modul

910

g