IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

900

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

2173

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

900

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.05

v

I C = 450 A, V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C = 450 A, V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =11,3 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.7

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

46.6

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

3.50

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

328

NS

t r

Aufstiegszeit

76

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

539

NS

t F

Herbstzeit

108

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

19.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

46.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j =125 O C

376

NS

t r

Aufstiegszeit

86

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

595

NS

t F

Herbstzeit

214

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

36.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j =150 O C

380

NS

t r

Aufstiegszeit

89

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

608

NS

t F

Herbstzeit

232

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

41.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V

1800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

I F = 450 A, V GE =0V,T j =125 O C

1.65

I F = 450 A, V GE =0V,T j =150 O C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C

29.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

275

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15 V, t j =125 O C

68.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

342

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

31.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15 V, t j =150 O C

79.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

354

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.069

0.108

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g