IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

900

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

2173

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

900

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C = 450 A, V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C = 450 A, V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 11.3mA,V CE =V GE ,t j =25 O C

5.2

5.8

6.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

46.6

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

3.50

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

203

NS

t r

Aufstiegszeit

64

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

491

NS

t F

Herbstzeit

79

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

16.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

38.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

235

NS

t r

Aufstiegszeit

75

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

581

NS

t F

Herbstzeit

109

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

27.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

235

NS

t r

Aufstiegszeit

75

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

621

NS

t F

Herbstzeit

119

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

30.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

61.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, v CEM ≤ 1200 V

1800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

v

I F = 450 A, V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F = 450 A, V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C

55.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

518

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, t j = 125O C

106

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

633

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

47.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, t j = 150O C

121

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

661

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

53.9

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von r 100

t C = 100 O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.069

0.108

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.030

0.046

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g