IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD400SGK120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

Symbol

Beschreibung

GD400SGK120C2S

Einheiten

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20V

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

550

Ein

400

I CM(1)

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

I F

Diodenkontinuierlicher Vorwärtsstrom nt

400

Ein

I FM

Dioden maximale Vorwärtsströmung nt

800

Ein

P D

Maximalleistung t j =150 ℃

2500

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =1 25℃

10

μs

t j

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

I 2t-Wert, Diode

v r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

Ein 2s

v ISO

Isolationsspannung RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M6

1.1 bis 2.0

2,5 bis 5.0

N.M

Montage Schraube:M6

3,0 bis 6.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm

Schwellenspannung

I C = 5,0 mA, V CE =V GE ,

t j =25 ℃

4.5

5.1

5.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE = 15V,T j =25 ℃

2.2

v

I C =400A,V GE =15V,

t j =125 ℃

2.5

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A,

258

NS

t r

Aufstiegszeit

r g = 3,3Ω, V GE = ± 15 V,

110

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

t j = 25 ℃

285

NS

t F

Herbstzeit

v CC =600V,I C = 400A,

r g = 3,3Ω, V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃

70

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

45

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

26

mJ

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A,

r g = 3,3Ω, V GE = ± 15 V, t j = 125℃

260

NS

t r

Aufstiegszeit

120

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

300

NS

t F

Herbstzeit

80

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

60

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

40

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V, f=1,0MHz,

v GE =0V

74.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

3.3

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.64

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =125 ℃ , V CC =900V,

v CEM ≤ 1200V

2400

Ein

L CE

Streuinduktivität

16

nH

r CC ’+ EE ’

Modul Blei

Widerstand, Anschluss Um Chip

t C =25 ℃

0.50

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A

t j =25 ℃

2.0

2.3

v

t j =125 ℃

2.2

2.5

Q r

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

I F = 400A,

v r =600V,

die in Anhang I Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Nummer 1 der Regelung für die Verwendung von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugverbindungsbereich von mehr als 20 cm2 bestimmt ist, v GE =-15V

t j =25 ℃

31

μC

t j =125 ℃

66

I RM

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

300

Ein

t j =125 ℃

410

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

12

mJ

t j =125 ℃

28

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θJC

Verbindung zum Gehäuse (IGBT-Teil, pro 1/2 Modul)

0.05

K/W

r θJC

Verbindung zum Gehäuse (DIODE-Teil, pro 1/2 Modul)

0.08

K/W

r θCS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

340

g