IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD400HFT120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

600

Ein

400

I CM(1)

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom @ T C =80 ℃

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung t j =150 ℃

2119

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Leistungsanschluss Schraube:M6

2,5 bis 5.0

N.M

Drehmoment

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR)CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =16mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =1.8Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

250

NS

t r

Aufstiegszeit

39

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

t F

Herbstzeit

100

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

17.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

42.0

mJ

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =1.8Ω,V GE = ± 15 V, t j =125 ℃

299

NS

t r

Aufstiegszeit

46

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

605

NS

t F

Herbstzeit

155

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

25.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

61.9

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

28.8

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.51

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,

v CC =600V, v CEM ≤ 1200V

1600

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.9

Oh

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.35

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A

t j =25 ℃

1.65

2.15

v

t j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F = 400A,

v r =600V,

di/dt=-6000A/μs, v GE =-15V

t j =25 ℃

44

μC

t j =125 ℃

78

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

490

Ein

t j =125 ℃

555

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

19.0

mJ

t j =125 ℃

35.1

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θJC

Junction -Um -Fallstudie (proIGBT )

0.059

K/W

r θJC

Junction-to-Case (pro DIODE)

0.106

K/W

r θCS

Gehäuse-zu-Senke (leitfähiges Fett aufgetragen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

g