1200V 400A
Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 400A.
Merkmale
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Beschreibung | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | Einheiten |
v CES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
v GES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
I C | Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃ | 650 400 | Ein |
I CM | Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms | 800 | Ein |
I F | Diode kontinuierlich vorwärts rent | 400 | Ein |
I FM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms | 800 | Ein |
P D | Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃ | 2542 | W |
t jmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | ℃ |
t - Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | ℃ |
t stg | Lagerungstemperatur Reichweite | -40 bis +125 | ℃ |
v ISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min | 4000 | v |
Montage Drehmoment | Schraube für die Antriebsspitze:M6 Montageschraube:M6 | 2,5 bis 5.0 3,0 bis 5.0 | N.M |
Gewicht | Gewicht von Modul | 300 | g |
Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v (BR )CES | Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung | t j =25 ℃ | 1200 |
|
| v |
I CES | Sammler Schnitt -aus Aktuell | v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
I GES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v GE (th ) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | I C = 16,0 mA, V CE =V GE , t j =25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
v CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | I C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
v |
I C =400A,V GE =15V, t j =125 ℃ |
| 2.00 |
| |||
I C =400A,V GE =15V, t j =150 ℃ |
| 2.10 |
|
Schaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω, v GE =±15V, t j =25 ℃ |
| 250 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 39 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 500 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 100 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 17.0 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 42.0 |
| mJ | |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω, v GE =±15V, t j = 125℃ |
| 299 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 46 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 605 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 155 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 25.1 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 61.9 |
| mJ | |
t D (auf ) | Verzögerungszeit der Einleitung |
v CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω, v GE =±15V, t j = 150℃ |
| 320 |
| NS |
t r | Aufstiegszeit |
| 52 |
| NS | |
t D (aus ) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 625 |
| NS | |
t F | Herbstzeit |
| 180 |
| NS | |
e auf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 30.5 |
| mJ | |
e aus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 66.8 |
| mJ | |
C ies | Eingangskapazität |
v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V |
| 28.8 |
| NF |
C - Die | Ausgangskapazität |
| 1.51 |
| NF | |
C res | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.31 |
| NF | |
I SC |
SC-Daten | t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V |
|
1600 |
|
Ein |
r Gint | Interner Gate-Widerst and |
|
| 1.9 |
| Ω |
L CE | Streuinduktivität |
|
|
| 20 | nH |
r CC’+EE’ | Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten | |
v F | Diodenvorwärts Spannung | I F = 400A, v GE =0V | t j =25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 |
v |
t j =125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
t j =150 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
I F = 400A, v r =600V, r g = 1,8Ω, v GE =-15V | t j =25 ℃ |
| 44 |
|
μC |
t j =125 ℃ |
| 78 |
| ||||
t j =150 ℃ |
| 90 |
| ||||
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | t j =25 ℃ |
| 490 |
|
Ein | |
t j =125 ℃ |
| 555 |
| ||||
t j =150 ℃ |
| 565 |
| ||||
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie | t j =25 ℃ |
| 19.0 |
|
mJ | |
t j =125 ℃ |
| 35.1 |
| ||||
t j =150 ℃ |
| 38.8 |
| ||||
Thermische Eigenschaften ics
Symbol | Parameter | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
r θ JC | Junction-to-Case (pro IGB T) |
| 0.059 | K/W |
r θ JC | Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
| 0.106 | K/W |
r θ CS | Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen) | 0.035 |
| K/W |
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