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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

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GD400HFT120B3S,IGBT-Modul,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Stärken
Spu:
GD400HFT120B3S
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 400A.

Merkmale

  • Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typisch Anwendungen

  • Wechselrichter für Motorantrieb
  • mit einer Leistung von mehr als 50 W
  • Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

700

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

2542

W

Diode

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Modul

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

v

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

I C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.10

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.9

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

28.8

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

1.20

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

250

NS

t r

Aufstiegszeit

39

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

t F

Herbstzeit

100

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

17.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

42.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

299

NS

t r

Aufstiegszeit

46

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

605

NS

t F

Herbstzeit

155

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

25.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

61.9

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

320

NS

t r

Aufstiegszeit

52

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

625

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

30.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

66.8

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =600V, v CEM ≤ 1200 V

1600

Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,

v GE =- 15 V, t j =25 O C

44

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

490

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,

v GE =- 15 V, t j = 125O C

78

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

555

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.1

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,

v GE =- 15 V, t j = 150O C

90

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

565

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.8

mJ

NTC Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

∆R/R

Abweichung von r 100

t C = 100O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.059

0.106

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.109

0.196

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g

Gliederung

image(f59f3275a8).png

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