IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

659

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

2727

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

2.00

2.45

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

2.40

I C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.50

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

27.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.92

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

3.08

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

367

NS

t r

Aufstiegszeit

112

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

523

NS

t F

Herbstzeit

236

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

42.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

76.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

375

NS

t r

Aufstiegszeit

116

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

599

NS

t F

Herbstzeit

458

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

58.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

109

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

377

NS

t r

Aufstiegszeit

120

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

611

NS

t F

Herbstzeit

560

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

73.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

118

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, v CEM ≤1700V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C

101

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

488

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

71.1

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15 V, t j = 125O C

150

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

562

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

106

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15 V, t j = 150O C

160

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

575

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

112

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.055

0.105

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.107

0.204

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g