IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD400HFL120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

730

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

800

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

2778

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M6

Montageschraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 4. 1Ω,

v GE =±15V, t j =25 ℃

910

NS

t r

Aufstiegszeit

200

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

848

NS

t F

Herbstzeit

110

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

33.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

39.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 4. 1Ω,

v GE =±15V, t j =125 ℃

1047

NS

t r

Aufstiegszeit

201

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

998

NS

t F

Herbstzeit

150

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

46.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

57.6

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

29.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.08

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.36

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1800

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

L CE

Streuinduktivität

18

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.32

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j =125 ℃

1.85

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F = 400A,

v r =600V,

r g = 4. 1Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

26

μC

t j =125 ℃

49

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

212

Ein

t j =125 ℃

281

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

23.4

mJ

t j =125 ℃

33.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.054

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.093

K/W

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

0.032

K/W

Gewicht

Gewicht Modul

350

g