IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

650

Ein

400

I CM(1)

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom @ T C =80 ℃

400

Ein

I FM

Dioden maximale Vorwärtsströmung nt

800

Ein

P D

Maximalleistung t j =150 ℃

2450

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Leistungsanschluss Schraube:M6

2,5 bis 5.0

N.M

Drehmoment

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR)CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =16mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =4.1Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

910

NS

t r

Aufstiegszeit

200

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

848

NS

t F

Herbstzeit

110

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

33.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

39.5

mJ

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =4.1Ω,V GE = ± 15 V, t j =125 ℃

1047

NS

t r

Aufstiegszeit

201

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

998

NS

t F

Herbstzeit

150

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

46.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

57.6

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

29.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.08

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.36

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =25 ℃ ,V CC =600V,

v CEM ≤ 1200V

1800

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.35

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.40

v

t j =125 ℃

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F = 400A,

v r =600V,

di/dt=-2680A/μs, v GE =-15V

t j =25 ℃

26

μC

t j =125 ℃

49

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

212

Ein

t j =125 ℃

281

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

13.4

mJ

t j =125 ℃

23.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θJC

Junction -Um -Fallstudie (proIGBT )

0.051

K/W

r θJC

Junction-to-Case (pro DIODE)

0.072

K/W

r θCS

Gehäuse-zu-Senke (leitfähiges Fett aufgetragen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

g