IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

1612

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

650

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =60 O C

372

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

920

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

650

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 7,50 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

21.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.20

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

2.60

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

182

NS

t r

Aufstiegszeit

54

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

464

NS

t F

Herbstzeit

72

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

10.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

25.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

193

NS

t r

Aufstiegszeit

54

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

577

NS

t F

Herbstzeit

113

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

16.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

38.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 1.3Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

203

NS

t r

Aufstiegszeit

54

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

618

NS

t F

Herbstzeit

124

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

18.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

43.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I C =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

I C =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.65

I C =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.65

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j =25 O C

29

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

318

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.1

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j = 125O C

55

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

371

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

28.0

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j = 150O C

64

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

390

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

32.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 4,8 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

17.1

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.51

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15 ﹍+15V

2.88

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

88

NS

t r

Aufstiegszeit

40

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

294

NS

t F

Herbstzeit

43

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.34

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

8.60

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =125 O C

96

NS

t r

Aufstiegszeit

48

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

312

NS

t F

Herbstzeit

60

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.86

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

10.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =150 O C

104

NS

t r

Aufstiegszeit

48

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

318

NS

t F

Herbstzeit

60

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.98

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, v GE =15V,

t j =150 O C,V CC =360V, v CEM ≤ 650 V

1500

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

1.95

v

I F =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.50

I F =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.45

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

14.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

209

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.74

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

26.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

259

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.82

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

30.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

275

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.70

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r thJC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D2 Dio de)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D3,D4 Dio de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T1,T2 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D2 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T3,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D3,D4 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

340

g