IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

540

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

1948

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

650

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

415

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

1086

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

650

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.10

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

21.5

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.98

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

2.80

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

250

NS

t r

Aufstiegszeit

90

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

t F

Herbstzeit

130

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

17.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

29.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

300

NS

t r

Aufstiegszeit

100

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

650

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

25.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

44.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

320

NS

t r

Aufstiegszeit

100

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

680

NS

t F

Herbstzeit

190

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

27.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

I F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

30.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

210

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.0

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

56.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

270

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.0

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

62.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

290

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

28.5

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 4,8 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

18.5

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.55

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15V ...+15V

3.22

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

110

NS

t r

Aufstiegszeit

50

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

490

NS

t F

Herbstzeit

50

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.13

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

9.83

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =125 O C

120

NS

t r

Aufstiegszeit

60

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

520

NS

t F

Herbstzeit

70

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

3.10

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

12.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =150 O C

130

NS

t r

Aufstiegszeit

60

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

530

NS

t F

Herbstzeit

70

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

3.30

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

12.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, v GE =15V,

t j =150 O C,V CC =360V, v CEM ≤ 650 V

1500

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

v

I F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

I F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

13.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

190

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.40

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

24.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

235

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.20

mJ

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

v r =300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

28.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.00

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r thJC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D2 Dio de)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D3,D4 Dio de)

0.077

0.141

0.138

0.237

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T1,T2 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D2 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T3,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D3,D4 DIODE)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

K/W

m

Montagedrehmoment, Schraube M6

Anschlussdrehmoment, Schraube M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M