IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25 ℃

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters @ T j =25 ℃

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

480

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

600

Ein

P tot

Gesamte Leistungsdissipation @ T j =175 ℃

1630

W

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =25 ℃

250

NS

t r

Aufstiegszeit

90

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

t F

Herbstzeit

130

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =125 ℃

300

NS

t r

Aufstiegszeit

100

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

650

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

43.9

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

21.5

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.98

NF

Q g

Gate-Ladung

v CC =600V,I C =300A, v GE =-15 ﹍+15V

2.8

nC

r Gint

Innen-Gatterwiderstand

2.5

Ω

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung @ T j =25 ℃

1200

v

I F

DC Vorwärtsstrom

300

Ein

I FRM

Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,

v GE =0V

t j =25 ℃

1.65

2.15

v

t j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =300A,

v r =600V,

r g = 2,4Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

30

μC

t j =125 ℃

55

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

210

Ein

t j =125 ℃

270

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

13.9

mJ

t j =125 ℃

26.1

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter @ T j =25 ℃

650

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters @ T j =25 ℃

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

480

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

600

Ein

P tot

Gesamte Leistungsdissipation @ T j =175 ℃

1071

W

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

650

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =13,2 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.5

7.7

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.50

1.95

v

I C =300A,V GE =15V, t j =175 ℃

1.80

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,5Ω,

v GE =±15V, t j =25 ℃

125

NS

t r

Aufstiegszeit

320

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

270

NS

t F

Herbstzeit

135

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

3.20

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =300A, r g = 2,5Ω,

v GE =±15V, t j =125 ℃

110

NS

t r

Aufstiegszeit

320

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

320

NS

t F

Herbstzeit

145

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

3.50

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.8

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

25.9

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.68

NF

Q g

Gate-Ladung

v CC =300V,I C =300A, v GE =15V

590

nC

r Gint

Innen-Gatterwiderstand

1.0

Ω

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, v GE =15V,

t j =125 °C, V CC =360V, v CEM ≤ 650 V

3600

Ein

Symbol

Beschreibung

GD300TLT120C2S

Einheiten

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung @ T j =25 ℃

650

v

I F

DC Vorwärtsstrom

300

Ein

I FRM

Wiederholte Spitzen-Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,

v GE =0V

t j =25 ℃

1.40

1.80

v

t j =125 ℃

1.40

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =300A,

v r = 300 V,

r g = 4,7Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

12.0

μC

t j =125 ℃

21.2

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

153

Ein

t j =125 ℃

185

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

2.65

mJ

t j =125 ℃

5.12

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

v

r θ JC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Verbindungsstärke (pro T1,T2) DIODE)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro T3,T4) DIODE)

0.092

0.158

0.137

0.236

K/W

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

0.035

K/W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40

150

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40

125

℃

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

340

g