IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

3400

Ein

2400

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

4800

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

2400

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

4800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 150℃

10.4

kW

t j

Maximale Junction-Temperatur

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

N.M

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =96.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

6.3

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =2400A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

v

I C =2400A,V GE =15V, t j = 125℃

2.20

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

24.5

μC

r Gint

Interner Gate-Widerstand

t j =25 ℃

0.13

Ω

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =2400A, r Goff =0.43Ω,

v GE = ± 15V,T j =25 ℃

210

NS

t r

Aufstiegszeit

80

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

480

NS

t F

Herbstzeit

60

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

260

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

155

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =2400A, r g =0.43Ω,

v GE = ± 15V,T j = 125℃

250

NS

t r

Aufstiegszeit

85

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

t F

Herbstzeit

90

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

360

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

250

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

170

NF

C - Die

Ausgangskapazität

11.4

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

7.52

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC =900V, v CEM ≤ 1200V

TBD

Ein

L CE

Streuinduktivität

12

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip

0.19

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =2400A

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j = 125℃

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =2400A,

v r =600V,

r g =0.43Ω,

v GE =- 15V

t j =25 ℃

315

μC

t j = 125℃

530

I RM

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

2000

Ein

t j = 125℃

2700

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

115

mJ

t j = 125℃

240

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

12

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (pro Di ode)

22

K/kW

r θ CS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pro Modul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

g