IGBT-Modul, GD1600SGT120C3S, STARPOWER

1200V 1600A

Brand:

Stärken

Spu:

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 1600A.

Merkmale

Typisch Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.	Einheiten
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I C	Kollektorstrom @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃	2600 1600	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms	3200	Ein
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent @ T C =80 ℃	1600	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	3200	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃	8.43	kW
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	℃
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	v
Montage Drehmoment	Signalterminal-Schraube:M4	1.8 bis 2.1
	Leistungsanschluss-Schraube:M8	8.0 bis 10	N.M
	Montageschraube:M6	4.25 bis 5.75

Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	t j =25 ℃	1200			v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =64 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 1600A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.70	2.15	v
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 1600A,V GE =15V, t j =125 ℃		2.00		v

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =1600A, r Gon =1.6Ω, r Goff =0.2Ω, v GE =±15V,T j =25 ℃		601		NS
t r	Aufstiegszeit			225		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			830		NS
t F	Herbstzeit			155		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			/		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			/		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C = 1600A, r Gon = 1.6Ω,R Goff =0.2Ω, v GE =±15V,T j =125 ℃		665		NS
t r	Aufstiegszeit			225		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			970		NS
t F	Herbstzeit			180		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			326		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			251		mJ
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		115		NF
C - Die	Ausgangskapazität			6.03		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			5.23		NF
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15 V, t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		6400		Ein
r Gint	Interner Gate-Widerst and			1.6		Ω
L CE	Streuinduktivität			15		nH
r CC’+EE’	Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip			0.10		mΩ

Elektrische Eigenschaften von Diode t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 1600A	t j =25 ℃		1.65	2.05	v
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 1600A	t j =125 ℃		1.65		v
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang	I F = 1600A, v r =600V, r g =0.45Ω, v GE =-15V	t j =25 ℃		160		μC
Q r	Wiederhergestellt ladevorgang		t j =125 ℃		300		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =25 ℃		1100		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		t j =125 ℃		1400		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =25 ℃		72		mJ
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		t j =125 ℃		136		mJ

Thermische Eigenschaften ics

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
r θ JC	Junction-to-Case (pro IGB T)		17.8	K/kW
r θ JC	Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel		31.0	K/kW
r θ CS	Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)	6		K/kW
Gewicht	Gewicht Modul	1500		g