IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom

@ T C =25 ℃

@ T C = 100℃

1900

Ein

1200

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

2400

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

1200

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

2400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 175℃

8823

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

I 2t-Wert, Diode

v r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

300

kA 2s

v ISO

Isolationsspannung RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M4

Leistungsanschluss-Schraube:M8

1.7 bis 2.3

8.0 bis 10

N.M

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

800

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =48.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

6.5

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 1200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.9

v

I C = 1200A,V GE =15V, t j = 125℃

2.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r Gint

Interner Gate-Widerstand

t j =25 ℃

1.2

Ω

Q GE

Gate-Ladung

I C = 1200A,V CE =600V, v GE =- 15…+15V

12.5

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =1200A,

r g =0.82Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

790

NS

t r

Aufstiegszeit

170

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1350

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =1200A,

r g =0.82Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125℃

850

NS

t r

Aufstiegszeit

170

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1500

NS

t F

Herbstzeit

220

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

155

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

190

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V, f=1MHz,

v GE =0V

92.0

NF

C - Die

Ausgangskapazität

8.40

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

6.10

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,

v CC =900V, v CEM ≤ 1200V

7000

Ein

L CE

Streuinduktivität

15

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand e, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃ ,pro Schalter

0.10

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 1200A

t j =25 ℃

1.9

v

t j = 125℃

2.1

Q r

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

I F = 1200A,

v r =600V,

di/dt=-6800A/μs, v GE =- 15V

t j =25 ℃

110

μC

t j = 125℃

220

I RM

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

760

Ein

t j = 125℃

990

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

47

mJ

t j = 125℃

82

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, p er Modul)

0.017

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (Diode-Teil, pro Modul le)

0.025

K/W

r θ CS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pro Modul)

0.006

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

g