IGBT-Diskrete

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

IC

Kollektorstrom @ TC=25OC @ TC=100OC

150

75

Ein

ICM

Pulsierend Sammler Aktuell  tP  Begrenzt von tvjmax

225

Ein

PD

Maximalleistung Ablösung @ TVj=175OC

852

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vRRM

Wiederholte SpitzenrückwärtsvoltAlter

1200

v

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent

75

Ein

IFM

Pulsierend Sammler Aktuell  tP  Begrenzt von tvjmax

225

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

tvjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

OC

tstg

Lagerungstemperaturbereich

-55 bis +150

OC

ts

Löt Temperatur,1.6mm from Gehäuse für 10er

260

OC

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC= 75A,VGE=15V, tVj=25OC

1.75

2.20

v

IC= 75A,VGE=15V, tVj=150OC

2.10

IC= 75A,VGE=15V, tVj=175OC

2.20

vGE(th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 3,00mA,vCE=vGE, tVj=25OC

5.0

5.8

6.5

v

ICES

Sammler Schnitt-ausAktuell

vCE=vCES,vGE=0V, tVj=25OC

250

μA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

vGE=vGES,vCE=0V,tVj=25OC

100

NA

rGint

Interner Gate-Widerstand

2.0

Ω

Cies

Eingangskapazität

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0V

6.58

NF

C- Die

Ausgangskapazität

0.40

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.19

NF

Qg

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

0.49

μC

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC= 75A,    rg= 4,7Ω,

vGE=±15V, Ls=40nH,

tVj=25OC

41

NS

tr

Aufstiegszeit

135

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

87

NS

tF

Herbstzeit

255

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.5

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.6

mJ

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC= 75A,    rg= 4,7Ω,

vGE=±15V, Ls=40nH,

tVj=150OC

46

NS

tr

Aufstiegszeit

140

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

164

NS

tF

Herbstzeit

354

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.6

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.3

mJ

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC= 75A,    rg= 4,7Ω,

vGE=±15V, Ls=40nH,

tVj=175OC

46

NS

tr

Aufstiegszeit

140

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

167

NS

tF

Herbstzeit

372

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

18.7

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.7

mJ

ISC

SC-Daten

tP≤10μs,vGE=15V,

tVj=175OC,VCC=800V, vCEM≤ 1200 V

300

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

vF

Diodenvorwärts Spannung

IF= 75A,VGE=0V,TVj=25OC

1.75

2.20

v

IF= 75A,VGE=0V,TVj=150OC

1.75

IF= 75A,VGE=0V,TVj=175OC

1.75

trr

Diode Rückwärts  Erholungszeit

vr=600V,IF= 75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj=25OC

267

NS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

4.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

22

Ein

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.1

mJ

trr

Diode Rückwärts  Erholungszeit

vr=600V,IF= 75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj=150OC

432

NS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

9.80

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

33

Ein

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.7

mJ

trr

Diode Rückwärts  Erholungszeit

vr=600V,IF= 75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj=175OC

466

NS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

11.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

35

Ein

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.1

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

rthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.176 0.371

K/W

rDie

Verbindung zum Umfeld

40

K/W