IGBT-Diskrete

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

IC

Kollektorstrom @ TC=25OC

@ TC= 110OC

50

25

Ein

ICM

Pulsierter Kollektorstrom tPbegrenzt durch Tjmax

100

Ein

PD

Maximalleistung Ablösung @ Tj=175OC

573

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

OC

tstg

LagerungstemperaturReichweite

-55 bis +150

OC

ts

Lötemperatur 1,6 mm nach untenm Fall für 10er

260

OC

m

Montagedrehmoment, Schraube M3

0.6

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=25A,vGE=15V,

tj=25OC

1.70

2.15

v

IC=25A,vGE=15V,

tj=125OC

1.95

IC=25A,vGE=15V,

tj=150OC

2.00

vGE(th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 0,63mA,vCE=vGE, tj=25OC

5.2

6.0

6.8

v

ICES

Sammler Schnitt-aus

Aktuell

vCE=vCES,vGE=0V,

tj=25OC

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

vGE=vGES,vCE=0V,tj=25OC

400

NA

rGint

Interner Gate-Widerstand

0

Ω

Cies

Eingangskapazität

vCE=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

2.59

NF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.07

NF

Qg

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

0.19

μC

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC=25A,   rg= 20Ω,VGE=±15V, tj=25OC

28

NS

tr

Aufstiegszeit

17

NS

tD(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

196

NS

tF

Herbstzeit

185

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.71

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

1.49

mJ

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC=25A,   rg= 20Ω,VGE=±15V, tj=125OC

28

NS

tr

Aufstiegszeit

21

NS

tD(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

288

NS

tF

Herbstzeit

216

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.57

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.21

mJ

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC=25A,   rg= 20Ω,VGE=±15V, tj=150OC

28

NS

tr

Aufstiegszeit

22

NS

tD(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

309

NS

tF

Herbstzeit

227

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.78

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.42

mJ

ISC

SC-Daten

tP≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150OC,VCC=900V, vCEM≤ 1200 V

100

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

vF

Diodenvorwärts

Spannung

IF= 25A, VGE=0V,Tj=25OC

2.20

2.65

v

IF= 25A, VGE=0V,Tj= 125OC

2.30

IF= 25A, VGE=0V,Tj= 150OC

2.25

Qr

Wiederhergestellte Ladung

vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj=25OC

1.43

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

34

Ein

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

0.75

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj= 125OC

2.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

42

Ein

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

1.61

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

vr=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V tj= 150OC

2.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

44

Ein

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

2.10

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

rthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.262

0.495

K/W

rDie

Verbindung zum Umfeld

40

K/W