IGBT-Diskrete

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

650

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =135 O C

240

120

Ein

I CM

Pulsierend Sammler Aktuell t P Begrenzt von t jmax

360

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

893

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

650

v

I F

Diode Dauerstrom @ T C =25 O C @ T C =80 O C

177

120

Ein

I FM

Diode Maximum Vorwärts Aktuell t P Begrenzt von t jmax

360

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-55 bis +150

O C

t s

Löt Temperatur,1.6mm f rom Gehäuse für 10er

260

O C

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =120A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

v

I C =120A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

I C =120A,V GE =15V, t j =175 O C

1.75

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =1.92 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C

250

uA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

200

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

/

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=100kHz, v GE =0V

14.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.42

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =120A, r g =7.5Ω,

v GE =±15V, L s =40 nH ,t j =25 O C

68

NS

t r

Aufstiegszeit

201

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

166

NS

t F

Herbstzeit

54

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

7.19

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.56

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =120A, r g =7.5Ω,

v GE =±15V, L s =40 nH ,t j =150 O C

70

NS

t r

Aufstiegszeit

207

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

186

NS

t F

Herbstzeit

106

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

7.70

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.89

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =300V,I C =120A, r g =7.5Ω,

v GE =±15V, L s =40 nH ,t j =175 O C

71

NS

t r

Aufstiegszeit

211

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

195

NS

t F

Herbstzeit

139

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

7.80

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.98

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, v GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 300 V, v CEM ≤ 650 V

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts Spannung

I F =120A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

v

I F =120A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

I F =120A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.60

t RR

Diode Rückwärts Erholungszeit

v r =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =25 O C

184

NS

Q r

Wiederhergestellte Ladung

1.65

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

17.2

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.23

mJ

t RR

Diode Rückwärts Erholungszeit

v r =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =150 O C

221

NS

Q r

Wiederhergestellte Ladung

3.24

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

23.1

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.53

mJ

t RR

Diode Rückwärts Erholungszeit

v r =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =175 O C

246

NS

Q r

Wiederhergestellte Ladung

3.98

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

26.8

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.64

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.168 0.369

K/W

r Die

Verbindung zum Umfeld

40

K/W