IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1410

900

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

5000

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =900A,V GE =15V, t j =25 O C

1.80

2.25

v

I C =900A,V GE =15V, t j =125 O C

2.10

I C =900A,V GE =15V, t j =150 O C

2.15

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =22.5 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.6

Ω

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15V...+15V

7.40

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =900A,

r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, v GE =±15V,T j =25 O C

257

NS

t r

Aufstiegszeit

96

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

628

NS

t F

Herbstzeit

103

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

43

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

82

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =900A,

r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

v GE =±15V,T j = 125O C

268

NS

t r

Aufstiegszeit

107

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

659

NS

t F

Herbstzeit

144

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

59

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

118

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =900A,

r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

v GE =±15V,T j = 150O C

278

NS

t r

Aufstiegszeit

118

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

680

NS

t F

Herbstzeit

155

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

64

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

134

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V,

v CEM ≤ 1200 V

3600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.71

2.16

v

I F =900A,V GE =0V,T j = 125O C

1.74

I F =900A,V GE =0V,T j = 150O C

1.75

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

76

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

513

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

143

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

684

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

71.3

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

171

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

713

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

80.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.030

0.052

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g