GD900HFX120P1SA, IGBT-Modul, STARPOWER

IGBT-Modul 1200V

GD900HFX120P1SA,IGBT-Modul,STARPOWER

1200V 900A

Brand:

Stärken

Spu:

GD900HFX120P1SA

Einführung
Gliederung

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 900A.

Merkmale

Niedriges V CE (sitz ) Graben IGBT Technologie
10 μs Kurzschluss-Kapazität - die
v CE (sitz ) Mit positiv Temperatur Koeffizient
Maximum Junction-Temperatur 175O C
Niedrige Induktivität Fallstudie
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Hochleistungs- und thermische Zyklusfähigkeit Das ist

Typisch Anwendungen

Hochleistungswandler
Solarantrieb<br>
Hybrid- und Elektrofahrzeuge

Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
v GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	v
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1522 900	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	1800	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C	5.24	kW

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
v RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1200	v
I F	Diode kontinuierlich vorwärts rent	900	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	1800	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperatur Reichweite	-40 bis +125	O C
v ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	v

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =900A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	v
		I C =900A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		I C =900A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
v GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =22.5 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C	5.2	6.0	6.8	v
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interner Gate-Widerst and			0.63		Ω
C ies	Eingangskapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		93.2		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V		2.61		NF
Q g	Gate-Ladung	v GE =-15 ﹍+15V		6.99		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =900A, r g =1.6Ω, v GE =±15V, t j =25 O C		214		NS
t r	Aufstiegszeit			150		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			721		NS
t F	Herbstzeit			206		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			76		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			128		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =900A, r g =1.6Ω, v GE =±15V, t j =125 O C		235		NS
t r	Aufstiegszeit			161		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			824		NS
t F	Herbstzeit			412		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			107		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			165		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	v CC =600V,I C =900A, r g =1.6Ω, v GE =±15V, t j =150 O C		235		NS
t r	Aufstiegszeit			161		NS
t D (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			876		NS
t F	Herbstzeit			464		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			112		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			180		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V		3600		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
v F	Diodenvorwärts Spannung	I F =900A,V GE =0V,T j =25 O C		1.90	2.25	v
		I F =900A,V GE =0V,T j = 125O C		1.85
		I F =900A,V GE =0V,T j = 150O C		1.80
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j =25 O C		86		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			475		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			36.1		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j = 125O C		143		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			618		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			71.3		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	v r =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j = 150O C		185		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			665		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			75.1		mJ

NTC Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
r 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
ΔR/R	Abweichung von r 100	t C = 100 O C, R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		18		nH
r CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.30		mΩ
r thJC	Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			28.6 51.9	K/kW
r thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		14.0 25.3 4.5		K/kW
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10 6.0	N.M
g	Gewicht von Modul		825		g