IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD800SGT120C3S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1350

800

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

1600

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

@ T C =80 ℃

800

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

4.44

kW

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =32 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C =800A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A,

r Gon =3.6Ω,

r Goff =0.91Ω,

v GE =±15V,T j =25 ℃

250

NS

t r

Aufstiegszeit

190

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

90

NS

t F

Herbstzeit

130

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

58.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

85.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A, r Gon =3.6Ω,

r Goff =0.91Ω,

v GE =±15V,T j =125 ℃

260

NS

t r

Aufstiegszeit

200

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

810

NS

t F

Herbstzeit

210

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

85.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

126

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

57.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

3.02

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

2.62

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, v CC =900V,

v CEM ≤ 1200 V

3200

Ein

Q g

Gate-Ladung

v CC =600V,I C =800A, v GE =-15 ﹍+15V

7.4

μC

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.78

Ω

L CE

Streuinduktivität

15

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.10

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =800A

t j =25 ℃

1.65

2.10

v

t j = 125℃

1.65

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F =800A,

v r =600V,

r g =3.6Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

48.6

μC

t j =125 ℃

91.2

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

340

Ein

t j =125 ℃

440

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

21.8

mJ

t j =125 ℃

41.3

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

33.8

K/kW

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

57.4

K/kW

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht Modul

1500

g