IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1250

800

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

1600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

4166

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

800

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =800A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C =800A,V GE = 15 V, t j =125 O C

1.95

I C =800A,V GE = 15 V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =32.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.0

5.7

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.13

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

79.2

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

2.40

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE = 15V

4.80

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A, r g = 1.0Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

408

NS

t r

Aufstiegszeit

119

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

573

NS

t F

Herbstzeit

135

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

21.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

72.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A, r g = 1.0Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

409

NS

t r

Aufstiegszeit

120

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

632

NS

t F

Herbstzeit

188

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

26.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

107

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A, r g = 1.0Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

410

NS

t r

Aufstiegszeit

123

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

638

NS

t F

Herbstzeit

198

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

28.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

112

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE = 15 V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

3200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

I F =800A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

v GE =- 15V t j =25 O C

81.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

518

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

39.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

v GE =- 15V t j = 125O C

136

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

646

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

65.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

155

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

684

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

76.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.036

0.048

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.123

0.163

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g