IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD800HFT120C3S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1400

800

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

1600

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

@ T C =80 ℃

800

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

4.2

kW

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =32.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C =800A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A, r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

v GE =±15V,T j =25 ℃

605

NS

t r

Aufstiegszeit

225

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

830

NS

t F

Herbstzeit

155

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

/

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

/

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A, r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

v GE =±15V,T j =125 ℃

670

NS

t r

Aufstiegszeit

220

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

960

NS

t F

Herbstzeit

175

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

161

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

124

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

57.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

3.02

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

2.62

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

3200

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.25

Ω

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =800A

t j =25 ℃

1.65

2.10

v

t j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F =800A,

v r =600V,

r Gon =0.9Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

86

μC

t j =125 ℃

160

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

560

Ein

t j =125 ℃

720

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

38.0

mJ

t j =125 ℃

70.0

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

35.6

K/kW

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

62.0

K/kW

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht Modul

1500

g