IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1050

800

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

4.85

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

800

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, t j =25 O C

2.50

2.95

v

I C =800A,V GE =15V, t j =125 O C

3.00

I C =800A,V GE =15V, t j =150 O C

3.10

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =32.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.4

7.4

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

54.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.84

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

6.2

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =800A, r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

235

NS

t r

Aufstiegszeit

110

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

390

NS

t F

Herbstzeit

145

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

216

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

152

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =800A, r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

250

NS

t r

Aufstiegszeit

120

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

475

NS

t F

Herbstzeit

155

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

280

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

232

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =800A,

r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

254

NS

t r

Aufstiegszeit

125

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

t F

Herbstzeit

160

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

312

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

256

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, v CEM ≤1700V

2480

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =800A,V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =800A,V GE =0V, t j = 125O C

1.95

I F =800A,V GE =0V, t j = 150O C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

232

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

720

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

134

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

360

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

840

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

222

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j = 150O C

424

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

880

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

259

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.37

mΩ

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

30.9

49.0

K/kW

r θ CS

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

19.6

31.0

K/kW

r θ CS

Gehäuse zu Sink

6.0

K/kW

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Gewicht von Modul

1500

g