IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD800HFL120C3S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1250

Ein

800

I CM(1)

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

1600

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

800

Ein

I FM

Diode maximale Vorwärtsstrom

1600

Ein

P D

Maximalleistung t j =150 ℃

4310

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

I 2t-Wert, Diode

v r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

140

kA 2s

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.7 bis 2.3

8.0 bis 10

N.M

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =32mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.8

v

I C =800A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q GE

Gate-Ladung

I C =800A,V CE =600V,

v GE =-15…+15V

11.5

μC

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A,

r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

v GE =± 15V,T j =25 ℃

600

NS

t r

Aufstiegszeit

230

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

820

NS

t F

Herbstzeit

150

NS

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A,

r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

v GE =± 15V,T j =125 ℃

660

NS

t r

Aufstiegszeit

220

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

960

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

160

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

125

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

61.8

NF

C - Die

Ausgangskapazität

4.2

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

2.7

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,

v CC =900V, v CEM ≤ 1200V

3760

Ein

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =800A

t j =25 ℃

2.4

v

t j =125 ℃

2.2

Q r

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

I F =800A,

v r =600V,

di/dt=-3600A/μs, v GE =-15V

t j =25 ℃

37

μC

t j =125 ℃

90

I RM

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

260

Ein

t j =125 ℃

400

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

9

mJ

t j =125 ℃

24

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θJC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, pro 1/2 Modul)

0.029

K/W

r θJC

Junction-to-Case (Diode-Teil, pro 1/2 Modul)

0.052

K/W

r θCS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pro Modul)

0.006

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

g