IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD630HFL120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

945

Ein

630

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1260

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

@ T C =80 ℃

630

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

1260

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 150℃

4167

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M6

Montage Schraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 630A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.35

2.80

v

I C = 630A,V GE =15V, t j = 125℃

2.73

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 630A, r g = 2,5Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

210

NS

t r

Aufstiegszeit

102

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

600

NS

t F

Herbstzeit

80

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

75.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

37.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 630A, r g = 2,5Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

230

NS

t r

Aufstiegszeit

103

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

705

NS

t F

Herbstzeit

103

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

102.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

63.0

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

29.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.08

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.36

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j = 125℃ ,V CC =600V,

v CEM ≤ 1200V

1800

Ein

r Gint

Interne Gate-Widerstands tance

0.5

Ω

L CE

Streuinduktivität

18

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.32

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 630A

t j =25 ℃

2.00

2.40

v

t j = 125℃

2.20

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F = 630A,

v r =600V,

r g = 2,5Ω,

v GE =- 15V

t j =25 ℃

80

μC

t j = 125℃

130

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

336

Ein

t j = 125℃

433

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

24.4

mJ

t j = 125℃

49.6

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT)

0.030

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.048

K/W

r θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

340

g