IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD600SGT120C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

950

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

1200

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

@ T C =80 ℃

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

3333

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M4

Schraube für die Antriebsspitze:M6

1.1 bis 2.0

2,5 bis 5.0

N.M

Montageschraube:M6

3,0 bis 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1.2Ω,

v GE =±15V, t j =25 ℃

252

NS

t r

Aufstiegszeit

88

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

560

NS

t F

Herbstzeit

131

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

33.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

57.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1.2Ω,

v GE =±15V, t j =125 ℃

298

NS

t r

Aufstiegszeit

102

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

648

NS

t F

Herbstzeit

179

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

50.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

87.8

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

32.3

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.69

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.46

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.3

Ω

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =600A

t j =25 ℃

1.65

2.10

v

t j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F = 600A,

v r =600V,

r g = 1.2Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

60.3

μC

t j =125 ℃

114

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

415

Ein

t j =125 ℃

543

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

28.1

mJ

t j =125 ℃

51.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.045

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.080

K/W

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht Modul

300

g