IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

890

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

2830

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.0

5.6

6.5

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

52.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.68

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =15V

3.28

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1. 1Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

332

NS

t r

Aufstiegszeit

106

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

525

NS

t F

Herbstzeit

125

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

12.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

54.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1. 1Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

335

NS

t r

Aufstiegszeit

110

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

575

NS

t F

Herbstzeit

168

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

21.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

69.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 600A, r g = 1. 1Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

340

NS

t r

Aufstiegszeit

112

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

586

NS

t F

Herbstzeit

185

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

22.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

74.0

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,

v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F = 600 A, V GE =0V,T j = 125O C

1.85

I F = 600 A, V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C

58.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

472

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

29.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =- 15 V, t j = 125O C

106

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

604

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

52.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =- 15 V, t j = 150O C

122

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

644

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

60.7

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.053

0.071

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.061

0.082

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g