IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD600HFT170C3S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

950

Ein

600

I CM(1)

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

1200

Ein

I F

Diodenkontinuierlicher Vorwärtsstrom nt

600

Ein

I FM

Dioden maximale Vorwärtsströmung nt

1200

Ein

P D

Maximalleistung t j =175 ℃

3571

W

t j

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

3400

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

N.M

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR) CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1700

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v EG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =24mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

v

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 ℃

2.40

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

7.0

μC

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 600A, r Gon = 2,4Ω,

r Goff =3.0Ω,

v GE = ± 15V,T j =25 ℃

650

NS

t r

Aufstiegszeit

155

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1300

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

125

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

186

mJ

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 600A, r Gon = 2,4Ω,

r Goff =3.0Ω,

v GE = ± 15V,T j =125 ℃

701

NS

t r

Aufstiegszeit

198

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1590

NS

t F

Herbstzeit

302

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

186

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

219

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

52.8

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.20

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.75

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 ℃ ,V CC =1000V, v CEM ≤ mit einer Leistung von

2400

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.3

Ω

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.18

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =600A

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j =125 ℃

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F = 600A,

v r =900V,

di/dt=-3800A/μs, v GE =-15V

t j =25 ℃

580

μC

t j =125 ℃

640

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

160

Ein

t j =125 ℃

258

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

96

mJ

t j =125 ℃

171

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θJC

Junction-to-Case (pro (g)

42

K/kW

r θJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

94

K/kW

r θCS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pro Modul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

g