IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 ℃

@ T C =100 ℃

660

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

900

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

900

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =17 5℃

2083

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

v

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3,0 bis 6.0

3,0 bis 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

910

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j =25 ℃

360

NS

t r

Aufstiegszeit

140

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

t F

Herbstzeit

146

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

11.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 1,5Ω,

v GE =±15V, t j =125 ℃

374

NS

t r

Aufstiegszeit

147

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

623

NS

t F

Herbstzeit

178

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

17.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

64.5

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

39.0

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.26

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, v GE =15V,

t j =125 ℃ ,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1800

Ein

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.67

Ω

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A

t j =25 ℃

1.65

2.25

v

t j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F = 450 A,

v r =600V,

r g = 1,5Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

41.6

μC

t j =125 ℃

77.5

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

241

Ein

t j =125 ℃

325

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

23.2

mJ

t j =125 ℃

43.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von r 100

r 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.072

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.110

K/W

r θ CS

Die Verwendung von Fett aus der Verpackung ist nicht zulässig. (Veröffentlicht vom

0.005

K/W