Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1700V 450A.
Merkmale
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
VCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1700 | v |
VGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
IC | Kollektorstrom @ TC=25oC @ TC=95oC | 683 450 | Ein |
ICM | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 900 | Ein |
PD | Maximale Verlustleistung | 2678 | W |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
v RRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1700 | v |
I F | Diode kontinuierlich vorwärts rent | 450 | Ein |
I FM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms | 900 | Ein |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
t jmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | O C |
t - Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | O C |
t stg | Lagerungstemperatur Reichweite | -40 bis +125 | O C |
v ISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min | 4000 | v |
IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC |
| 2.00 | 2.45 |
v |
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC |
| 2.40 |
| |||
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC |
| 2.50 |
| |||
VGE(th) | Gate-Emitter Schwellenwertspannung | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.4 | 6.1 | 7.4 | v |
ICES | Abschnittswert für den Sammler Aktuell | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Tj=25oC |
|
| 5.0 | mA |
IGES | Gate-Emitter Leckstrom | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
| 400 | NA |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 0.3 |
| Ω |
Cies | Eingangskapazität | VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
| 30.0 |
| NF |
Cres | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.08 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | VGE=-15…+15V |
| 2.70 |
| μC |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel |
| 504 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 183 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 616 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 188 |
| NS | |
EON | Einschaltsteuerung Verlust |
| 126 |
| mJ | |
EOFF | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 89 |
| mJ | |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel zu verwenden. |
| 506 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 194 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 704 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 352 |
| NS | |
EON | Einschaltsteuerung Verlust |
| 162 |
| mJ | |
EOFF | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 124 |
| mJ | |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel zu verwenden. |
| 510 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 198 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 727 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 429 |
| NS | |
EON | Einschaltsteuerung Verlust |
| 174 |
| mJ | |
EOFF | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 132 |
| mJ | |
ISC |
SC-Daten | Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
1440 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
v F | Diodenvorwärts Spannung | I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 O C |
| 1.87 | 2.32 |
v |
I F = 450 A, V GE =0V,T j = 125O C |
| 2.00 |
| |||
I F = 450 A, V GE =0V,T j = 150O C |
| 2.05 |
| |||
Q r | Wiederhergestellte Ladung | v r =900V,I F = 450 A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j =25 O C |
| 107 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 519 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 75 |
| mJ | |
Q r | Wiederhergestellte Ladung | v r =900V,I F = 450 A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j = 125O C |
| 159 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 597 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 113 |
| mJ | |
Q r | Wiederhergestellte Ladung | v r =900V,I F = 450 A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j = 150O C |
| 170 |
| μC |
I RM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 611 |
| Ein | |
e Erklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 119 |
| mJ |
Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
L CE | Streuinduktivität |
|
| 20 | nH |
r CC’+EE’ | Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
| 0.35 |
| mΩ |
r thJC | Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
| 0.056 0.112 | K/W |
r thCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul) |
| 0.105 0.210 0.035 |
| K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | Gewicht von Modul |
| 300 |
| g |
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