IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD400SGT170C2S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

700

Ein

400

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 175℃

3000

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

I 2t-Wert,Diode

v r =0V,t=10ms,T j =125 ℃

25500

Ein 2s

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M4

Schraube für die Antriebsspitze:M6

1.1 bis 2.0

2,5 bis 5.0

N.M

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

v GE =0V, I C = 14mA, t j =25 ℃

1700

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

3.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C = 16mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

v

I C =400A,V GE =15V, t j = 125℃

2.40

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A,

278

NS

t r

Aufstiegszeit

r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V,

81

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

t j =25 ℃

802

NS

t F

Herbstzeit

v CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

119

NS

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

104

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

86

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

302

NS

t r

Aufstiegszeit

99

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1002

NS

t F

Herbstzeit

198

NS

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

136

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

124

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

36

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.5

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.2

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs, v GE =15V,

t j =125 ℃ ,V CC = 1000V, v CEM ≤ mit einer Leistung von

1600

Ein

r Gint

Interne Gate-Widerstands tance

1.9

Ω

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j = 125℃

1.90

Q r

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

I F = 400A,

v r =900 V,

di/dt=-4250A/μs, v GE =- 15V

t j =25 ℃

99

μC

t j = 125℃

172

I RM

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

441

Ein

t j = 125℃

478

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

53

mJ

t j = 125℃

97

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, p er Modul)

0.05

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (DIODE-Teil, pro Modu l)

0.09

K/W

r θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

g